Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
Пошуковий запит: (<.>A=Shelushinina N$<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 10
Представлено документи з 1 до 10
|
1. |
Charikova T. B. Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary [Електронний ресурс] / T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, G. I. Harus, V. N. Neverov, D. S. Petukhov, O. E. Petukhova, A. A. Ivanov // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 165-168. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_10 We present the investigation results of the in-plane rho(T) resistivity tensor at the temperature range 0,4 - 40 K in magnetic fields up to 90 kOe (H || c, J || ab) for electron-doped Nd2-xCexCuO4+delta with different degree of disorder near antiferromagnetic-superconducting phase boundary. We have experimentally found that for optimally doped compound both the upper critical field slope and the critical temperature decrease with increasing of the disorder parameter (d-wave pairing) while in the case of the underdoped system the critical temperature remains constant and dHc2/dT increases with increasing of the disorder (s-wave pairing). These features suggest a possible implementation of the complex mixture state as the s+id pairing.
| 2. |
Charikova T. B. Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ with nonstoichiometric disorder [Електронний ресурс] / T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, G. I. Harus, V. N. Neverov, D. S. Petukhov, O. E. Sochinskaya, A. A. Ivanov // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 3. - С. 344-347. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_3_15 Magnetoresistivity and Hall effect measured in magnetic fields up to В = 9 Т (В || с, J || ab) in electron-doped Nd2-xCexCuO4+delta single crystal films with x = 0,14; 0,15; 0,18 and different oxygen content were studied in a temperature range of 0,4 - 4,2 K. The resistivity and Hall coefficient behaviors in the mixed state are discussed in the framework of flux-flow model with the inclusion of the back-flow of vortices owing to the pinning forces.
| 3. |
Charikova T. B. The estimation of coherence length for electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4+δ [Електронний ресурс] / T. B. Charikova, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, O. E. Sochinskaya, A. A. Ivanov // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 4. - С. 377-379. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_4_7
| 4. |
Shelushinina N. G. The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd2–xCexCuO4+δ (x = 0.14) [Електронний ресурс] / N. G. Shelushinina, G. I. Harus, T. B. Charikova, D. S. Petukhov, O. E. Petukhova, A. A. Ivanov // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 593-595. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_10 The magnetic-field dependencies of the longitudinal and Hall resistivity of the electron-doped compounds <$E roman {Nd sub 2-x Ce sub x CuO sub {4+ delta}}> in underdoped region (x = 0,14) were investigated. It was established experimentally a strong magnetic field dependence of the Hall conductivity, <$E sigma sub xy (B)~=~C~-~b "/" B>, in the region of magnetic fields corresponding to a transition from superconducting to resistive state. The observed feature can be explained with the sum of contributions of the quasiparticles and moving Abrikosov vortices into Hall effect in a mixed state of type-II superconductor.
| 5. |
Gudina S. V. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, V. N. Neverov, E. G. Novik, E. V. Ilchenko, G. I. Harus, N. G. Shelushinina, S. M. Podgornykh, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 4. - С. 605-611. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_4_12 We have measured the temperature (2,9 << T << 50 K) and magnetic field (0 << B << 9 T) dependences of longitudinal and Hall resistivities for HgCdTe/HgTe/HgCdTe system with HgTe quantum well width of 20,3 nm. The activation analysis of the experimental magnetoresistivity traces has been used as a quantitative tool to probe inter-Landau level distances. The activation energies were determined from the temperature dependence of the longitudinal resistivity in the regions of quantized Hall plateaus (for the filling factors - of 1, 2 and 3) and the indications of the large values of the g factor = 30 - 75 were found.
| 6. |
Gudina S. V. Scaling laws under quantum Hall effect for a smooth disorder potential [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, A. S. Klepikova, V. N. Neverov, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 2. - С. 204-209. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_2_9 Проведено аналіз експериментальних значень критичного параметра квантових холлівських переходів - типу "плато - плато" в селективно легованій гетероструктурі GaAs/AlGaAs. Виявлено, що ці значення в основному зосереджені в діапазоні <$E kappa~=~0,5~-~0,7>. Стверджується, що в межах теоретичних уявлень про великомасштабний потенціал безладу це відповідає межі між процесами квантового тунелювання та класичним режимом перколяції. Так само величина критичної експоненти <$E kappa~=~0,54~symbol С~0,01> для ширини смуги делокалізованних станів, отримана для гетероструктури на основі HgTe з інвертованим спектром, може бути пов'язана з плавним характером домішкового потенціалу в дослідженій системі.
| 7. |
Klepikova A. S. Anisotropic temperature dependence of normal state resistivity in underdoped region of a layered electron-doped superconductor Nd2–xCexCuO4 [Електронний ресурс] / A. S. Klepikova, T. B. Charikova, N. G. Shelushinina, M. R. Popov, A. A. Ivanov // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 2. - С. 251-257. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_2_15
| 8. |
Gudina S. V. HgTe quantum wells with inverted band structure: quantum Hall effect and the large-scale impurity potential [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, Yu. G. Arapov, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, M. R. Popov, E. V. Deriushkina, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, № 4. - С. 476-483. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_4_11
| 9. |
Gudina S. V. Quasiclassical calculations of Landau level spectrum for 20.5-nm-wide HgTe quantum well: "extremum loop” model and effects of cubic symmetry [Електронний ресурс] / S. V. Gudina, A. S. Bogolubskiy, V. N. Neverov, K. V. Turutkin, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 1. - С. 11-17. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_1_5 У квантовій ямі (КЯ) HgTe шириною 20,5 нм з інвертованим зонним спектром виконано квазикласичні розрахунки ефективної маси та спектра рівнів Ландау (РЛ) для носіїв розмірно-квантованої підзони H2 із немонотонним законом дисперсії, що утворює валентну смугу в цій структурі. Для розрахунків використано модель так званої "петлі екстремумів", раніше розроблена Рашбою та Шекою для напівпровідників із граткою вюрцита. Отримані результати порівняно з емпіричною картиною та з квантово-механічними розрахунками спектра РЛ для КЯ HgTe в напівметалевій фазі.
| 10. |
Savelyev A. P. Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures [Електронний ресурс] / A. P. Savelyev, Yu. G. Arapov, S. V. Gudina, V. N. Neverov, S. M. Podgornykh, N. G. Shelushinina, M. V. Yakunin // Фізика низьких температур. - 2021. - Т. 47, Вип. 1. - С. 18-23. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2021_47_1_6 Експериментально досліджено поздовжній <$E rho sub xx (B,~T)> і холлівський <$E rho sub xy (B,~T)> опори в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з одиничними та подвійними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів (МП) B = 0 - 2,5 Тл і температур T = 1,8 - 20 К. Показано, що походження температурно-незалежної точки, що знаходиться поблизу <$E omega sub c tau~symbol @~1> на кривих <$E rho sub xx (B,~T)>, пов'язане зі спільною дією класичного циклотронного руху та квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації й електрон-електронної взаємодії. Отримані результати свідчать, що перехід із діелектричної фази у фазу квантового ефекту Холла (КЕХ) є кросовером від слабкої локалізації (квантові інтерференційні ефекти в слабкому МП) до сильної локалізації при квантуванні МП у режимі КЕХ.
|
|
|